삼성전자 시안 공장과 SK하이닉스 다롄 공장이 더 높은 층수의 낸드플래시를 만드는 쪽으로 바뀌고 있다고 로이터가 10월 21일 소식통 4명을 인용해 보도했어요. 두 회사는 업그레이드가 진행 중이고 미국 정부와 협의하고 있다고 밝혔지만, 층수와 월 생산 목표 같은 세부 계획은 공개하지 않았어요. 삼성전자는 증설이 아니라고 설명했고, 미국 장비 허가 범위는 공식 확인되지 않았어요. 인포그래픽 직접 제작, 자료 출처 로이터 보도와 회사 입장(10월 21일 기준) 10월 21일 기준으로 반도체 업계에서 가장 많이 읽힌 소식 가운데 하나는 한국 메모리 두 회사의 중국 공장 이야기예요. 위 카드는 보도된 내용과 회사가 직접 밝힌 입장을 나눠서 보여 줘요. 소식통을 인용한 숫자는 아직 회사가 확인하지 않은 단계이고, 회사 입장과 공식 문서에 나온 내용은 따로 구분해서 읽는 편이 안전해요. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 남는 메모리로, 스마트폰과 PC, AI 데이터센터의 SSD에 널리 쓰여요. 층수는 데이터를 저장하는 셀을 위로 몇 층 쌓았는지를 뜻해요. 로이터는 층수가 높을수록 한 칩에 더 많은 데이터를 담을 수 있고 비용을 낮추는 데 도움이 된다고 설명했어요. 로이터가 전한 두 공장의 업그레이드 계획 로이터 단독 기사( 로이터 기사 보기 )에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 중국 공장을 한국 공장 수준에 가까운 200단 이상 낸드 생산 시설로 바꾸는 작업을 하고 있어요. 취재원은 계획을 아는 소식통 4명이에요. 로이터는 두 회사의 세부 생산 계획이 이번 기사에서 처음 보도된다고 밝혔어요. 삼성전자는 중국 시안 공장에서 현재 약 200단 제품을 만들고 있고, 이 공장은 회사 전체 낸드 생산량의 약 40%를 차지한다고 소식통 2명이 전했어요. 사내에서 '모나미'라는 이름으로 불리는 프로젝트로 이 공장을 286단 V9 낸드 생산 체제로 바꾸고 있다는 내용이에요. 목표는 2026년 12월 월 5,000장, 2027년 12월 월 4만 장(웨이퍼 ...

엔비디아가 맞춤형 HBM인 NVHBM의 베이스 다이를 TSMC 3나노 공정으로 만들어 달라고 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론에 요청했다는 보도가 나왔어요. 서울경제는 삼성전자가 내부 검토 끝에 이를 받아들이기로 했다고 전했어요. 다만 업계 관계자를 인용한 보도이고, 회사들이 직접 밝힌 내용은 아니에요. 엔비디아는 8월에 NVHBM을 공개하며 메모리 컨트롤러를 베이스 다이 안으로 옮겼다고 밝혔어요. 엔비디아가 발표한 NVHBM의 핵심 수치 정리 (2026년 10월 21일 기준) NVHBM은 무엇이고, 베이스 다이는 왜 중요할까요? HBM은 D램 칩을 여러 층으로 쌓아 데이터를 아주 빠르게 주고받도록 만든 메모리예요. 쌓인 칩 가운데 실제로 데이터를 저장하는 칩을 코어 다이라고 부르고, 맨 아래에서 신호 전달과 제어를 맡는 칩을 베이스 다이라고 불러요. 코어 다이가 물건을 쌓아 두는 창고라면, 베이스 다이는 창고의 출입구와 물류를 관리하는 곳에 가까워요. 엔비디아는 2026년 8월 26일 공식 블로그 에서 NVHBM을 공개했어요. 기존 HBM 구조에서는 메모리 컨트롤러가 연산 칩(XPU) 안에 들어 있어요. NVHBM은 엔비디아의 맞춤형 메모리 컨트롤러를 HBM 베이스 다이 안으로 옮긴 방식이에요. 연산 칩에서 컨트롤러가 차지하던 공간을 줄여 그만큼 연산에 쓰겠다는 설계예요. 엔비디아가 제시한 수치는 표준 HBM4E와 비교한 값이에요. 메모리 대역폭은 최대 30% 늘고, HBM 전력 사용은 최대 15% 줄고, 연산 칩 면적은 최대 25% 더 확보할 수 있다고 설명했어요. 이 수치는 모두 엔비디아가 밝힌 최대치이고, 제3자가 검증한 결과는 공개되지 않았어요. 사진 출처 NVIDIA 공식 블로그(10월 21일 캡처) 인터페이스 회로가 줄어드는 폭은 자료마다 표현이 달라요. 엔비디아 기술 블로그는 JEDEC HBM4E 표준과 비교해 PHY와 부속 영역이 최대 67% 줄어든다고 설명했어요. 서울경제는 같은 항목을 표준 HBM보다 60% 줄였다고 전했어요....