마이크론이 10월 21일 기술 웨비나에서 1-델타 D램과 400단 이상 G11 낸드를 2027년 하반기에 양산 단계로 올리겠다고 밝혔어요. 스콧 드보어 CTO는 AI 수요 속에서 메모리 공급 부족이 앞으로 2년 이어질 것이라는 전망도 내놨어요. 대만 마이크론 타오위안 노조의 22일 파업 예고도 공급 변수로 거론돼요. 공식 자료로 확인된 내용과 보도 단계를 나눠서 읽어 볼게요. 자료 출처 직접 제작한 카드, Micron 공식 자료 기준(10월 22일) 위 카드는 이번 웨비나에서 회사가 제시한 핵심 일정을 네 줄로 줄인 거예요. 10월 22일 기준으로 가장 먼저 눈에 들어오는 숫자는 2027년 하반기예요. D램과 낸드 모두 그 시기에 새 세대 양산이 시작되도록 계획돼 있다고 설명했어요. 마이크론 웨비나에서 무슨 일이 있었나 마이크론은 미국 동부시간 10월 21일 오전 10시에 투자자용 기술·제품 웨비나를 열었어요. 회사 IR 페이지에는 이 행사의 발표 자료가 올라와 있어요. 발표는 최근 사장 겸 최고기술·제품책임자로 선임된 스콧 드보어가 맡았어요. 발표 자료의 큰 줄기는 AI 수요가 메모리 용량과 대역폭을 계속 끌어올리고 있다는 설명이에요. 회사는 메모리가 AI 성능과 토큰당 비용을 좌우하는 병목이 됐다고 정리했어요. 공급 부족이 2년 정도 이어질 것이라는 말은 질의응답 녹취록과 주요 매체 보도에서 확인돼요. 드보어 CTO는 질의응답에서 메모리 수급이 균형을 찾는 시점이 보이지 않는다는 취지로 답했어요. 같은 자리에서 HBM 같은 고성능 제품은 일반 D램보다 웨이퍼를 더 많이 쓰고, 이 비율이 로드맵 내내 높아진다고 설명했어요. 로드맵 숫자와 일정, D램·HBM·낸드 먼저 D램이에요. 현재 주력은 1-감마 공정이고, 다음 세대인 1-델타는 2027년 하반기에 양산 램프를 시작하는 것으로 안내됐어요. 회사 자료는 1-델타가 1-감마보다 비트 밀도가 20%대 중반 개선되고 미국에서 생산된다고 적었어요. 아래 슬라이드는 D램 로드맵 페이지예요. 사...

엔비디아가 맞춤형 HBM인 NVHBM의 베이스 다이를 TSMC 3나노 공정으로 만들어 달라고 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론에 요청했다는 보도가 나왔어요. 서울경제는 삼성전자가 내부 검토 끝에 이를 받아들이기로 했다고 전했어요. 다만 업계 관계자를 인용한 보도이고, 회사들이 직접 밝힌 내용은 아니에요. 엔비디아는 8월에 NVHBM을 공개하며 메모리 컨트롤러를 베이스 다이 안으로 옮겼다고 밝혔어요. 엔비디아가 발표한 NVHBM의 핵심 수치 정리 (2026년 10월 21일 기준) NVHBM은 무엇이고, 베이스 다이는 왜 중요할까요? HBM은 D램 칩을 여러 층으로 쌓아 데이터를 아주 빠르게 주고받도록 만든 메모리예요. 쌓인 칩 가운데 실제로 데이터를 저장하는 칩을 코어 다이라고 부르고, 맨 아래에서 신호 전달과 제어를 맡는 칩을 베이스 다이라고 불러요. 코어 다이가 물건을 쌓아 두는 창고라면, 베이스 다이는 창고의 출입구와 물류를 관리하는 곳에 가까워요. 엔비디아는 2026년 8월 26일 공식 블로그 에서 NVHBM을 공개했어요. 기존 HBM 구조에서는 메모리 컨트롤러가 연산 칩(XPU) 안에 들어 있어요. NVHBM은 엔비디아의 맞춤형 메모리 컨트롤러를 HBM 베이스 다이 안으로 옮긴 방식이에요. 연산 칩에서 컨트롤러가 차지하던 공간을 줄여 그만큼 연산에 쓰겠다는 설계예요. 엔비디아가 제시한 수치는 표준 HBM4E와 비교한 값이에요. 메모리 대역폭은 최대 30% 늘고, HBM 전력 사용은 최대 15% 줄고, 연산 칩 면적은 최대 25% 더 확보할 수 있다고 설명했어요. 이 수치는 모두 엔비디아가 밝힌 최대치이고, 제3자가 검증한 결과는 공개되지 않았어요. 사진 출처 NVIDIA 공식 블로그(10월 21일 캡처) 인터페이스 회로가 줄어드는 폭은 자료마다 표현이 달라요. 엔비디아 기술 블로그는 JEDEC HBM4E 표준과 비교해 PHY와 부속 영역이 최대 67% 줄어든다고 설명했어요. 서울경제는 같은 항목을 표준 HBM보다 60% 줄였다고 전했어요....